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雙極性晶體管

二極管

ESD保護、TVS、濾波和信號調(diào)節(jié)ESD保護

MOSFET

氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應用認證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

新聞稿

新聞稿

Nexperia推出全新Trench肖特基整流器 旨在為快速開關應用提高效率
  • 新聞稿
五月 04, 2021

Nexperia推出全新Trench肖特基整流器 旨在為快速開關應用提高效率

新器件已通過AEC-Q101認證,支持高達100 V的電壓和20 A的電流,開關損耗低且安全工作區(qū)域增大

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Nexperia第二代650 V氮化鎵場效應管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運行
  • 新聞稿
四月 27, 2021

Nexperia第二代650 V氮化鎵場效應管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運行

功率GaN解決方案可以減少器件數(shù)量、縮小外形尺寸并降低系統(tǒng)成本

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Nexperia推出適用于汽車應用中高速接口的新型ESD保護器件
  • 新聞稿
四月 20, 2021

Nexperia推出適用于汽車應用中高速接口的新型ESD保護器件

用于汽車多媒體和視頻鏈路應用的高性能4通道ESD保護,提供出色的信號完整性

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Nexperia與聯(lián)合汽車電子有限公司就氮化鎵領域達成深度合作
  • 新聞稿
三月 16, 2021

Nexperia與聯(lián)合汽車電子有限公司就氮化鎵領域達成深度合作

滿足新能源汽車動力系統(tǒng)不斷提升的技術需求

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Nexperia擴展LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列,推出符合AEC-Q101標準的半橋封裝產(chǎn)品
  • 新聞稿
二月 23, 2021

Nexperia擴展LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列,推出符合AEC-Q101標準的半橋封裝產(chǎn)品

節(jié)省空間的LFPAK56D半橋產(chǎn)品可以幫助動力系統(tǒng)、電機控制和DC/DC應用減少60%的寄生電感并改善散熱性能

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Nexperia計劃提高全球產(chǎn)量并增加研發(fā)支出
  • 新聞稿
二月 09, 2021

Nexperia計劃提高全球產(chǎn)量并增加研發(fā)支出

通過新投資支持全球戰(zhàn)略,滿足不斷增長的功率半導體需求并提升GaN工藝技術

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Nexperia發(fā)布用于高速數(shù)據(jù)線路的緊湊型“二合一”保護器件
  • 新聞稿
二月 03, 2021

Nexperia發(fā)布用于高速數(shù)據(jù)線路的緊湊型“二合一”保護器件

面向USB3.2和HDMI2.1的出色ESD和系統(tǒng)穩(wěn)健性

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Nexperia首次推出 用于48 V汽車和其他更高電壓總線電路的80 V RET
  • 新聞稿
一月 12, 2021

Nexperia首次推出 用于48 V汽車和其他更高電壓總線電路的80 V RET

器件可完全避免尖峰和脈沖的影響

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Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供歷經(jīng)十億個周期測試的 可靠重復雪崩性能
  • 新聞稿
十二月 09, 2020

Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供歷經(jīng)十億個周期測試的 可靠重復雪崩性能

雙MOSFET器件通過節(jié)省空間、減少器件數(shù)量和提高可靠性,簡化汽車電磁閥控制電路。

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Nexperia推出符合AEC-Q101標準的無引腳CAN-FD保護二極管,具有行業(yè)領先的ESD性能
  • 新聞稿